RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

总分
star star star star star
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 10
    测试中的平均数值
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB 需要考虑的原因
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    45 left arrow 52
    左右 -16% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 1,145.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 4200
    左右 4.05 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 45
  • 读取速度，GB/s
    2,614.5 left arrow 10.0
  • 写入速度，GB/s
    1,145.9 left arrow 8.1
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    409 left arrow 2414

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
内存RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
内存RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
内存RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
内存RAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
内存RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
内存RAM