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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

总分
star star star star star
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

总分
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.4
    测试中的平均数值
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 52
    左右 -93% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.2 left arrow 1,145.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 4200
    左右 4.57 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    52 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    2,614.5 left arrow 16.4
  • 写入速度，GB/s
    1,145.9 left arrow 11.2
  • 内存带宽，mbps
    4200 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    409 left arrow 2632

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较

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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
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内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
内存RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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内存RAM
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
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SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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内存RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
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