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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
比较
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
总分
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
总分
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
52
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,145.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
4200
左右 5.07 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
32
读取速度,GB/s
2,614.5
16.8
写入速度,GB/s
1,145.9
12.1
内存带宽,mbps
4200
21300
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
409
2641
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
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