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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB

差异 规格 评论

差异

A-DATA Technology DQVE1908 512MB 需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    2 left arrow 16.3
    测试中的平均数值
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    58 left arrow 66
    左右 -14% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.2 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    66 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    2,775.5 left arrow 16.3
  • 写入速度，GB/s
    1,557.9 left arrow 12.2
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 2591

A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较

Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
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内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905624-044.A00G 8GB
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905702-029.A00G 8GB
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