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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,775.5
15.8
写入速度,GB/s
1,557.9
12.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3052
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
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G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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