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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,061.2
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
46
左右 -44% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
32
读取速度,GB/s
4,937.3
16.9
写入速度,GB/s
2,061.2
14.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
3571
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
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