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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
比较
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Kingston 9965662-009.A00G 16GB
总分
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
总分
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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需要考虑的原因
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
46
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
2,061.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
37
读取速度,GB/s
4,937.3
9.3
写入速度,GB/s
2,061.2
7.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
759
2081
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
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