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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
28
读取速度,GB/s
11.8
18.4
写入速度,GB/s
7.3
16.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3772
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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