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AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
67
左右 -179% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
24
读取速度,GB/s
6.8
17.0
写入速度,GB/s
3.6
13.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2703
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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