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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
40
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
23.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
25
读取速度,GB/s
12.3
23.1
写入速度,GB/s
8.9
19.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
4380
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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