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AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
67
左右 -109% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
32
读取速度,GB/s
6.8
14.6
写入速度,GB/s
3.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2959
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
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