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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905598-019.A00G 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
74
左右 -222% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.2
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
23
读取速度,GB/s
4,178.4
14.2
写入速度,GB/s
2,201.1
7.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2368
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
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