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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
67
左右 -76% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
38
读取速度,GB/s
6.8
14.3
写入速度,GB/s
3.6
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
2638
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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