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AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
67
左右 -179% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
24
读取速度,GB/s
6.8
17.0
写入速度,GB/s
3.6
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3230
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B-16F 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
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