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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
67
左右 -168% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
25
读取速度,GB/s
6.8
20.0
写入速度,GB/s
3.6
17.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3942
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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