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AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
65
67
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.5
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
65
读取速度,GB/s
6.8
8.5
写入速度,GB/s
3.6
5.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
1981
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
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