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AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
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差异
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AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
67
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
28
读取速度,GB/s
6.8
18.8
写入速度,GB/s
3.6
15.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3465
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
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G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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