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AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
比较
AMD AE34G1601U1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
总分
AMD AE34G1601U1 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
差异
规格
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差异
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AMD AE34G1601U1 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
67
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.8
6.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
67
28
读取速度,GB/s
6.8
18.8
写入速度,GB/s
3.6
15.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
998
3465
AMD AE34G1601U1 4GB RAM的比较
Panram International Corporation PUD31600C94GNJK 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
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