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AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
73
左右 -248% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
21
读取速度,GB/s
6.3
18.3
写入速度,GB/s
5.2
14.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
3148
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
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Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
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