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AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
比较
AMD R5316G1609U2K 8GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
总分
AMD R5316G1609U2K 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5316G1609U2K 8GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
73
左右 -143% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
6.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
30
读取速度,GB/s
6.3
15.5
写入速度,GB/s
5.2
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1309
2208
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM的比较
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB RAM的比较
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
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