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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
27
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
21
读取速度,GB/s
14.7
17.6
写入速度,GB/s
9.2
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
2994
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM的比较
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
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