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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
27
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
27
读取速度,GB/s
18.4
17.4
写入速度,GB/s
12.3
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2912
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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