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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
27
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.1
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
27
读取速度,GB/s
18.4
17.4
写入速度,GB/s
12.3
13.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2912
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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