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AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
24
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
24
读取速度,GB/s
18.4
13.9
写入速度,GB/s
12.3
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2113
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
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