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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
30
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
30
读取速度,GB/s
14.2
22.0
写入速度,GB/s
10.0
16.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3830
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
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