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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
比较
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
总分
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
29
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
29
读取速度,GB/s
14.2
18.0
写入速度,GB/s
10.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2634
3049
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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