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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
比较
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
总分
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
总分
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
14.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
19.6
17.8
写入速度,GB/s
16.0
14.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3909
3597
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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