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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Compara
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Puntuación global
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Puntuación global
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.6
17.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
19.6
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
16.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3909
3597
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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