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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Pontuação geral
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Pontuação geral
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.6
17.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.0
14.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
19.6
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
16.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3909
3597
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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