RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Porównaj
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.6
17.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
19.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
16.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3909
3597
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Corsair CMT16GX3M4X2133C9 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link