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AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
101
左右 63% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
101
读取速度,GB/s
15.4
12.1
写入速度,GB/s
9.2
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
1382
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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AMD R538G1601U2S 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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