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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
比较
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
20.0
写入速度,GB/s
9.2
14.7
内存带宽,mbps
19200
21300
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2323
3462
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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