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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
12.6
17.6
写入速度,GB/s
9.5
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
3705
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
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Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
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