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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.6
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
27
读取速度,GB/s
12.6
18.6
写入速度,GB/s
9.5
15.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
3561
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HYMP564S64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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