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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
23
读取速度,GB/s
12.6
21.2
写入速度,GB/s
9.5
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
4043
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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