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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
比较
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
总分
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
9.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.7
6.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
12.8
9.1
写入速度,GB/s
6.7
6.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
1764
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM的比较
Samsung F6451U64F9333G 4GB
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SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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