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Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
比较
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB vs Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
总分
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
总分
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
15.2
17.0
写入速度,GB/s
9.8
13.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2454
3296
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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