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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
比较
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
总分
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
差异
规格
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
20
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.8
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
13.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
20
17
读取速度,GB/s
19.1
20.8
写入速度,GB/s
13.1
16.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3252
3623
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM的比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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