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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
15.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
35
读取速度,GB/s
16.0
15.1
写入速度,GB/s
10.3
9.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2502
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
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Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
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