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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
比较
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
总分
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
34
左右 -17% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
29
读取速度,GB/s
16.0
15.8
写入速度,GB/s
10.3
11.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2782
2711
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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