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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
51
左右 22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
40
51
读取速度,GB/s
12.3
11.6
写入速度,GB/s
8.9
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
1540
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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