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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
51
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
40
51
Velocità di lettura, GB/s
12.3
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
1540
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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