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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
51
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
11.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
8.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
40
51
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
11.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
8.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
1540
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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