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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Comparez
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Note globale
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Note globale
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
51
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
40
51
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.9
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1789
1540
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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