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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Compara
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
51
En 22% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
40
51
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
1540
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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