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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
81
左右 65% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
13.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
81
读取速度,GB/s
13.5
14.0
写入速度,GB/s
9.3
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
1634
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
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