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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
13.5
18.7
写入速度,GB/s
9.3
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3712
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
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