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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
13.5
18.7
写入速度,GB/s
9.3
15.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3712
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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