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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
13.5
17.5
写入速度,GB/s
9.3
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2748
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
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G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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