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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
22.6
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.4
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
13.5
22.6
写入速度,GB/s
9.3
16.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3837
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
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