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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 8GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Kllisre 8GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Kllisre 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
46
读取速度,GB/s
13.5
11.7
写入速度,GB/s
9.3
8.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
2349
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Kllisre 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
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