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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
比较
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
总分
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.8
13.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
13.5
18.8
写入速度,GB/s
9.3
14.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2278
3675
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin 992015 (997015) 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-025.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
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