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Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
比较
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.7
18.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.0
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
33
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
29
读取速度,GB/s
20.7
18.3
写入速度,GB/s
16.0
15.1
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3500
3529
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB RAM的比较
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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